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三星研发出容量1Tb的3D NAND芯片
来源:ENI经济和信息化网  作者:佚名 2017-08-10 09:38:00
三星电子NAND Flash技术再升级,9日宣布研发出容量达1Tb(terabit)的3D NAND芯片,预计明年问世。三星宣称,该技术是过去10年来存储器的最大进展之一。

三星电子NAND Flash技术再升级,9日宣布研发出容量达1Tb(terabit)的3D NAND芯片,预计明年问世。三星宣称,该技术是过去10年来存储器的最大进展之一。三星表示,许多产业发展人工智能物联网,数据密集的应用程序大增,Flash存储器扮演关键角色,可以加快资料抽取速度,以供即时分析。

据了解,三星研发1Tb的V-NAND芯片(即垂直堆叠的3D NAND),容量是当前最大存储器512Gb(gigabit)的两倍。三星将结合16个1Tb的die,构成一组3D NAND组,每组存储器容量可达2TB(terabyte)。1Tb相当于126GB,以一部2小时的HD电影通常1.5-2GB来计算,能够储存60部两小时的高画质电影。

不只如此,三星也秀出NGSFF固态硬盘(Next Generation Small Form Factor SSD),将取代当前的M.2 SSD规格。三星表示NGSFF容量为前代的四倍,将于今年第四季量产。

三星去年发布Z-SSD技术,现在首度发表采用此一技术的SZ985固态硬盘,宣称可用于数据中心和企业系统,处理大数据分析等数据密集作业。Z-SSD读取延迟时间为15微秒,大约是NVME固态硬盘的1/7。

编辑:晋珊珊
关键字:     三星  存储  物联网 
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