国外最新消息称，美光宣布推出新的高容量16纳米 TLC NAND芯片，不过我们在看到3D NAND有望在明年上市的话，这16纳米 TLC NAND有可能就是一种过渡。

美光官方称，TLC是已经在生产和使用经过验证的，可靠的设计。但是针对16纳米技术而言，可能消费电子类领域使用该颗粒还将就，或者问题也可能会很多。

据存储业内专业人士指出，闪存颗粒如果采取16纳米的制程，在很大程度上会受到电子和物理特性的必然影响，对于这点，阿明之前在写《闪存物理特性的优劣表现在哪些方面》的观点中，就详细介绍过，现在摘录过来，以飨明粉。

从闪存物理性来看，闪存谈论最多的就是SLC,MLC，它们分别是Single-Level Cell 单层单元和Multi-Level Cell多层单元的缩写，Cell就是一个物理单元，有固定隔离栅和浮动隔离栅，进行计数时候，是电子打到浮动隔离栅产生电位，电位变化形成数据00、01、11、10等，当进行操作，就是要电子进行击穿，在进行改变的时候，将电子通过引槽流出Cell，并产生变化。

闪存为什么有擦写次数限制呢?当进行数据擦写，电子流出时候，物理隔离栅就会变薄，变薄到一定程度就没有绝缘的机制了，电子进入就会漏掉，那么就会坏掉，就出现闪存擦写次数的问题。

当前NAND Flash面临的挑战主要是耐久性、数据保持性、读写干扰、制造工艺缺陷，耐久性受制于闪存颗粒的擦写次数，同时数据保持性是指闪存将数据存在一个Cell中，仍然存在电子泄漏和电子辐射造成数据丢失情况。读写干扰是指对一个Cell进行读写操作时对临近的Cell也会产生干扰。制造工艺也存在不同的品质。另外，SLC比MLC品质要好，Cell都一样，但前者只有两个状态位，后者有4个状态位，那么后者读写数据的擦写次数要增加，寿命自然会缩短。

当前SSD主要使用NAND Flash，属于非易失性存储介质，成本比较低。物理特性不容易改变，那么如何优化显得很重要。

有一个情况需要指出，对于半导体厂商而言，在不断降低制程，密度越来越高，工艺控制难度增加，造成NAND Flash可靠性随制造工艺减小而降低，如擦写次数降低，大容量闪存里面就更容易出现错误。这也就是当前闪存厂商开始更专注 3D NAND 制程工艺的原因。

这里阿明想说一句的是：美光本来就和英特尔在研发新的3D NAND技术，为什么不多多尝试3D NAND呢?

对比SLC、MLC颗粒来看，TLC 速度慢寿命短，但价格便宜。美光非得拿16纳米TLC NAND去打消费电子市场，带来的结果还是非常危险的。但更可怕的，美光似乎提到了16纳米TLC NAND对企业用户市场的辐射，这点阿明强烈怀疑美光的智商。要是你们觉得阿明在撒谎，那么我只好贴出外文的这部分消息：“The new TLC joins a fairly large list of flash products Micron offers from consumer to enterprise that spans various applications.”

因此，16纳米到底是不是一个坑，要不了一年左右，我们就可以知道。

或许美光有其他策略来规避16纳米的缺陷，直接加快16纳米TLC NAND的更新换代，等用户还没有遇到产品问题的前提下，就已经更新了新产品的替代与升级，将问题扼杀在摇篮里面，也不是没有可能。