相对于三星48层，美光、SanDisk、东芝目前以16层差距被远远甩在身后。

别惹我，我可是闪存业界的老大。

闪存业界的老大再度发出坚定有力的咆哮;随着强调3D闪存制程领导地位的一纸声明，三星公司已经开始着手打造48层、256 Gb 3D NAND芯片，并有望在2016年年内正式投放市场。

三星公司目前正在发售的是32层3D V-NAND芯片，戴尔方面将其应用在自己的Storage Centre阵列当中。这些128 Gb芯片采用三层单元(简称TLC)设计。

通过引入这额外的16层，同时毫无悬念地进一步缩小光刻制程尺寸，三星公司一举将该3D TLC闪存芯片的存储容量倍增到了256 Gb。所谓256 Gb，也就是经过换算后的32 GB。

这款闪存芯片将被用于对三星旗下各现有SSD产品进行容量提升。因此目前戴尔方面所使用的、容量在480 GB到3.84 TB区间的PM1633 SSD产品将能够由此获得高达7.68 TB的数据承载能力，而戴尔也将顺利把自家SC系列阵列的存储容量提高一倍。

这将使其以更为积极的姿态以及更低闪存芯片数量应对当前市场上的激烈竞争。举例来说，在戴尔对三星的全新闪存技术方案进行认证之后，于今年7月首次亮相的、采用2U机架设计的90 TB SC4020将能够在2U空间之内实现最高180 TB存储容量。

来自三星公司的SM1715 NVMe PCIe闪存卡也将能够从现在的3.2 TB容量增长至6.4 TB，这将显著提高服务器设备的性能水平。

三星48层TLC 256 Gb V-NAND闪存芯片

其具体结构如下：这款48层芯片采用3D Charge Trap Flash，整套体系当中有18亿个通孔贯穿这总计48层，包含的存储单元数量高达853亿个。根据每单元可容纳3 bit计算，三星公司表示其总bit承载量高达2560亿。

这款48层V-NAND芯片在运行功耗方面较上代32层产品低30%，而且三星方面也确认了制程工艺将进一步缩小(根据我们的理解)。其生产流程在难度方面较上代128 Gb芯片低40%，因此生产成本将能够得到显著降低——干得漂亮!

三星公司希望能够借助这些芯片在消费级市场上推出2 TB以上SSD产品(例如850 SSD的4 TB版本)，同时为企业及数据中心存储市场带来采用PCIe NVMe以及SAS接口的高密度SSD方案。

看来一直被IO瓶颈以及数据等待所折磨的应用程序即将迎来新一轮全面提速。