无论是在商业领域还是IT领域，利用强强联合，来实现1+1大于2理想效果是很多厂商采用的方式，但真正实现起来并不如想像中那么轻而易举。近日， 英特尔公司和镁光科技股份有限公司宣布在闪存方面合作，这两个巨头的合作将很可能带来闪存领域的新一轮革命，推动闪存产业的快速发展。

众所周知，闪存是目前在最轻便的笔记本电脑、最快速的数据中心以及几乎所有手机、平板电脑和移动设备中经常被使用到的存储技术，但由于发展时间较短，且不同厂商产品技术不尽相同，所以造成闪存市场的产品参差不齐，使得闪存的整个市场非常混乱。

英特尔与镁光联合开发全新3DNAND

日 前，英特尔与镁光联合开发全新3DNAND技术，采用垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。利用该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高 达全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。三倍的存储设备，让更小的空间内可以容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约与能耗降低。

当前以平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展的极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。摩尔定律描绘了持续性能提升与成本降低的发展轨迹。而通过保持 摩尔定律与闪存存储解决方案的一致性，3DNAND技术将有望对闪存存储解决方案产生重大影响，从而让闪存存储的存储容量、价格等更加趋于合理，在不用 领域得到更广泛的应用。

镁光科技的内存技术与解决方案部门副总裁BrianShirley表示："通过镁光与英特尔的通力协作，双方 共同打造出了业界领先的固态存储技术，通过该技术能够提供当今其他闪存技术难以匹敌的更高密度、性能和效率，这一3DNAND技术拥有彻底改变整个闪存 市场格局的巨大潜力"

3DNAND

闪存拥有的众多的市场，从智能手机到 针对闪存优化的超级计算机，我们所看到的闪存所产生的影响还仅仅是冰山一角英特尔公司高级副总裁兼非易失性存储解决方案事业部总经 理RobCrooke表示："最新的3DNAND技术再次彰显了我们的这一坚定承诺，该项技术创新可显著改善密度与成本问题，并将显著加快固态存 储在计算平台中的应用。"

创新工艺架构带来全新性能提升

下面我们来看一下这项技术全新的3DNAND技术带来了哪些 优势变化，3DNAND技术最重要的特点之一是其基础存储单元。它基于多年来大批量制造的平面结构闪存设计改进而成，并首次在3DNAND技术中使 用，而浮栅单元是提升性能、质量和可靠性的一个关键设计选择。

全新的3DNAND技术可垂直堆叠32层闪存单元，能够在标准封装内实 现256Gb多层单元(MLC)和384Gb三层单元(TLC)芯片。这些容量可使口香糖大小的固态盘提供超过3.5TB的存储容量，同时使标准 2.5英寸固态盘能够提供超过10TB的存储容量。由于存储容量可通过垂直堆叠单元来实现，单个存储单元的尺寸可以变得非常大。这将有望提高产品的性 能和耐用性，甚至可以使TLC设计出色地满足数据中心存储的需求。

3DNAND设计

3DNAND设计的主要产品特性包括：

更大大容量-存储容量可达到现有3D技术的三倍，每块芯片的存储容量最高可达48GB。该3D技术可支持在单个指尖大小的封装内提供0.75TB的存储容量，大大提升了闪存的存储空间，解决了闪存存储空间小的问题。

每GB闪存成本更低-第一代3DNAND具有比平面结构的NAND更高的成本效益，性价比更高。

高性能-更高的读/写带宽、I/O速度和随机读性能。

绿色环保-全新睡眠模式支持低功耗使用，允许切断不活跃NAND的芯片的电源(即使同一封装内其他芯片处于活跃状态也不受影响)，从而显著降低待机模式下的功耗。

更加智能-相比于前几代产品，一系列创新特性显著改进了延迟问题和提高了耐用性，同时进一步简化了系统集成工作。

总结，目前，256GbMLC版本的3DNAND芯片当前已向部分合作伙伴提供样品，384GbTLC版本的3DNAND芯片将于今年春末开始 提供样品。这两款设备将在今年第四季度全面投产。两家公司还在开发基于3DNAND技术的独立固态盘解决方案系列，并预计于明年推出相关产品。关心闪存 领域的用户可以关注下了，毕竟为闪存市场带来新一轮的风暴。