当前位置：首页 >文章发布 > 正文
我国科学家在下一代光电芯片制造领域获重大突破
来源：央视新闻 作者：
佚名
2022-09-16 10:08:08
9月14日晚，国际顶级学术期刊《自然》发表了我国科学家在下一代光电芯片制造领域的重大突破。
据央视新闻报道，9月14日晚，国际顶级学术期刊《自然》发表了我国科学家在下一代光电芯片制造领域的重大突破。
国际电子商情15日从央视新闻获悉，9月14日晚，国际顶级学术期刊《自然》发表了我国科学家在下一代光电芯片制造领域的重大突破。
报道称，南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队，发明了一种新型“非互易飞秒激光极化铁电畴”技术，将飞秒脉冲激光聚焦于材料“铌酸锂”的晶体内部，通过控制激光移动的方向，在晶体内部形成有效电场，实现三维结构的直写和擦除。
这一新技术，突破了传统飞秒激光的光衍射极限，把光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸，从传统的1微米量级(相当于头发丝的五十分之一)，首次缩小到纳米级，达到30纳米，大大提高了加工精度。
这一重大发明，未来或可开辟光电芯片制造新赛道，有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电存储器等关键光电器件芯片制备，在5G/6G通讯、光计算、人工智能等领域有广泛的应用前景。
免责声明：本文系网络转载，版权归原作者所有。本文所用图片、文字如涉及作品版权问题，请联系删除！本文内容为原作者观点，并不代表本网站观点。
编辑：张煜洁
金鹰集团5G+工业互联网应用场景
