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消息称HBM4标准放宽 三星、SK海力士推迟引入混合键合技术
来源：财联社 作者：
佚名
2024-03-11 09:31:34
据科技媒体ZDNET Korea报道，业界消息称，国际半导体标准组织(JEDEC)的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准定为775微米(μm)，比上一代的720微米更厚。
据科技媒体ZDNET Korea报道，业界消息称，国际半导体标准组织(JEDEC)的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准定为775微米(μm)，比上一代的720微米更厚。据悉，该协议预计将对三星电子、SK海力士、美光等主要内存制造商的未来封装投资趋势产生重大影响。如果封装厚度为775微米，使用现有的键合技术就可以充分实现16层DRAM堆叠HBM4。考虑到混合键合的投资成本巨大，存储器公司很可能将重点放在升级现有键合技术上。
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编辑：乔帅臣
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