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美韩企业竞争白热化！SK海力士突围：推出全球首款238层闪存芯片
来源：金十新媒体 作者：
张雅
2022-08-04 09:12:57
8月3日，SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。
近期，NAND闪存芯片更新换代的速度可谓是“风驰电掣”。在一段时间内，美韩企业在闪存芯片领域的竞争似乎进入了“白热化”阶段。
今年7月26日，美国的美光科技宣布，将会开始对其最先进的NAND闪存芯片进行出货。据了解，美光科技是全球首个将NAND芯片开发超过200层的企业，而该公司将会于2022年的年底开始量产最新的闪存芯片。
而就在美光科技的宣布仅仅刚过了8天，韩国芯片产业的巨头SK海力士在8月3日表示，该公司现如今已经成功研发出了238层的闪存芯片。与美光科技最新闪存芯片232层的储存单元相比，SK海力士的该款芯片多出了6层储存单元。
8月3日，SK海力士在全球峰会上公开了这款238层的闪存芯片。SK海力士表示道：“这是我们在成功研发176层闪存芯片之后，再次成功研发的业界最高层数的闪存芯片”，SK海力士同时补充道：“这款最新的闪存芯片将会在2023年的上半年开始量产。”
据业内人士透露，SK海力士的这款闪存芯片对业界意义非凡，因为它不仅是现如今体积最小的闪存芯片，同时还是全球首款最高层数的闪存芯片。与SK海力士上一代闪存芯片相比，这款芯片的数据传输速度将会达到2.4GB/秒，同时功耗将会减少至21%。
一个在2022年年底开始量产，而另一个紧跟着就会在2023年上半年开始量产。即使美国美光科技232层闪存芯片量产的时间比韩国的SK海力士要早，但是凭借着6层储存单元的优势，SK海力士或许会超过美光科技，提前抢占闪存芯片的国际市场。
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编辑：张煜洁
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