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英特尔宣布其PowerVia技术实现芯片背面供电
来源：环球网 作者：
佚名
2023-06-08 11:04:00
据英特尔方面消息，其在产品级测试芯片上实现背面供电(backside power delivery)技术，以满足迈向下一个计算时代的性能需求。
据英特尔方面消息，其在产品级测试芯片上实现背面供电(backside power delivery)技术，以满足迈向下一个计算时代的性能需求。
据介绍，作为英特尔的背面供电解决方案，PowerVia将于2024年上半年在Intel 20A制程节点上推出。通过将电源线移至晶圆背面，PowerVia解决了芯片单位面积微缩中日益严重的互连瓶颈问题。
英特尔技术开发副总裁Ben Sell表示，“英特尔正在积极推进‘四年五个制程节点’计划，并致力于在2030年实现在单个封装中集成一万亿个晶体管，PowerVia对这两大目标而言都是重要里程碑。通过采用已试验性生产的制程节点及其测试芯片，英特尔降低了将背面供电用于先进制程节点的风险，将背面供电技术推向市场。”
据悉，英特尔将PowerVia技术和晶体管的研发分开进行，以确保PowerVia可以被妥善地用于Intel 20A和Intel 18A制程芯片的生产中。在与同样将与Intel 20A制程节点一同推出的RibbonFET晶体管集成之前，PowerVia在其内部测试节点上进行了测试，以不断调试并确保其功能良好。英特尔方面称，经在测试芯片上采用并测试PowerVia，证实了这项技术确实能显著提高芯片的使用效率，单元利用率(cell utilization)超过90%，并有助于实现晶体管的大幅微缩，让芯片设计公司能够提升产品性能和能效。
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编辑：史晨宇
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