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台积电取得集成电路、MRAM单元和用于制造存储器件的方法专利

来源：金融界作者：佚名 2024-01-02 11:07:37

近日，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路、MRAM单元和用于制造存储器件的方法“，授权公告号CN110875352B，申请日期为2019年8月。

专利摘要显示，一些实施例涉及包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元的集成电路。集成电路包括半导体衬底和设置在半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括以交替的方式彼此堆叠的多个介电层和多个金属层。多个金属层包括下部金属层和设置在下部金属层上方的上部金属层。底部电极设置在下部金属层上方并与下部金属层电接触。磁隧道结(MTJ)设置在底部电极的上表面上方。顶部电极设置在MTJ的上表面上方。侧壁间隔件围绕顶部电极的外围。小于整个顶部电极表面与金属通孔直接电接触，金属通孔连接至上部金属层。本发明的实施例还涉及MRAM单元和用于制造存储器件的方法。

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编辑：刘婧

关键词：电路集成台积电集成电路 MRAM 存储器