潜心基础研究、发力原始创新，是迈向高水平科技自立自强的必由之路。位于南京高校院所、企事业单位的诸多重点实验室，如何勇担使命、勇立潮头、勇攀世界科技高峰，为推动引领性国家创新型城市建设注入“硬核”力量?即日起，本报推出《发力原始创新 逐梦科技之巅——探访在宁重点实验室》系列报道，通过探访在宁重点实验室，讲述他们聚焦关键领域核心技术，“从0到1”的坚守与突破，看他们描绘占领未来科技和产业发展制高点的“路线图”。

打造强“芯”之路，一直是中国科技创新的追求和梦想。在中国集成电路产业的璀璨“星空”中，位于南京的中国电子科技集团公司第五十五研究所，就是其中熠熠生辉的一颗。

中国电科五十五所展厅入口最醒目位置写着这样一句话：打造中国“芯”，确保核心芯片自主创新，五十五所在行动!而依托研究所建设的宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室，正面向新能源汽车、轨道交通、智能电网应用领域的重大需求，攻克高效、高频、高功率宽禁带半导体电力电子器件重大关键技术难题，努力打造自主中国“芯”。

“碳化硅和氮化镓是第三代半导体的典型代表，也被称为宽禁带半导体。”宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任柏松告诉记者，他从事该领域研究也有十多年，自2015年实验室成立起，就带领团队致力于碳化硅、氮化镓电力电子元器件的开发和应用研究。

工作服、帽子、鞋套、口罩……穿戴严实后，柏松带着记者从实验室外围的走廊进行参观。“宽禁带半导体电力电子器件6英寸工艺线”，就是这个实验室里的最核心。芯片设计、加工、封装……研发人员各司其职，有序忙碌着。“任何细小的灰尘都会影响芯片制造的精准度。这个超净实验室环境里，每立方米空间，三十分之一头发丝粗细的颗粒物不超过10个。”柏松说。

实验室经过数年努力，目前已经取得两项显著成果，一是解决了国内碳化硅电力电子器件的自主供应，一款SiC MOSEFT器件已批量应用于新能源汽车的车载充电器;二是应用于轨道交通高压输变电领域的高压器件取得技术突破，研制出的1.5万伏—2万伏等级的SiC MOSEFT器件技术水平国内领先，目前正在做工程级验证，未来3—5年有望实现高压输变电领域电力电子器件的国内产品替代。

去年10月，国内某新能源汽车龙头企业一款车载充电器的芯片供货渠道出现问题，生产线面临停产风险。企业随即找到中国电科五十五所，希望帮助解决“芯片荒”。“这个芯片我们实验室之前已经开发成功了，而且在光伏发电设备和充电桩上有小批量应用。”柏松告诉记者，这款SiC MOSEFT器件通过适配、小批量试用发现，完全适用于新能源汽车的车载充电器。于是，从几万只、几十万只到100多万只，源源不断地供应给这家企业。“春节我们都没有休息，一直在为这款新能源汽车的生产供应芯片。”柏松说，按照每台新能源汽车需要4—5只SiC MOSEFT器件计算，实验室已为该企业数十万台车辆的生产提供了芯片保障，现在还在为企业新款汽车设计新的适配芯片。“第三代半导体渴望更多市场验证的机会，在市场牵引下创新，在应用中不断改进，我们必定能和国外技术齐头并进。”柏松表示。

“苟日新，日日新，又日新”。采访即将结束时，记者在实验室墙上看到了这样一行字。这句话出自中国儒家经典——《礼记·大学》，意为：如果能够一天新，就应保持天天新，新了还要更新。实验室共有100名研究人员，平均年龄35岁，大家以此自勉，聚焦芯片自主研发，致力打造核心器件，用中国“芯”为未来赢得制胜关键，用行动为强“芯”梦书写新篇章。