8月8日，在成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目(以下简称“芯未项目”)的施工现场，成都高投芯未半导体有限公司负责人一次性领取了《建设用地规划许可证》《建设工程规划许可证》《建筑工程施工许可证》以及《不动产权证书》“四证”，项目进入快速建设阶段。

成都商报-红星新闻记者了解到，“芯未项目”是成都高新区围绕集成电路细分领域引进的强链补链项目，有助于加快构建竞争优势突出的现代产业体系。项目总投资约10亿元，分两期建设，建成投产后，预计实现年营收9亿元、年税收7000万元。

建成投产后预计实现年营收9亿元

成都高投芯未半导体有限公司执行董事兼总经理胡强介绍，“芯未项目”占地30亩，总投资约10亿元，分两期建设。

一期将建设一条8英寸超薄IGBT(绝缘栅双极型晶体管)特色背面晶圆线，一条高端功率半导体集成封装生产线。项目建成后，将形成年产120万只功率半导体模块制造能力，10万套集成组件生产能力。

按规划，项目一期计划2022年底完成厂房封顶，2023年6月完成包括洁净厂房在内的所有装修工作。2023年第三季度封装产线进入联调阶段，2023年第四季度投入试生产。2024年第一季度，IGBT背面超薄晶圆特色工艺平台也将投入使用。二期扩产建设预计将于2025年启动。

“在国家出台系列政策支撑半导体产业发展以及国民经济发展的大背景下，以IGBT为代表的功率半导体行业市场迎来了广阔的发展前景。”胡强表示，项目建成投产后将为包括森未科技在内的功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务，包括IGBT芯片、模组及方案组件产品等，实现年营收9亿元、年税收7000万元。

IGBT芯片技术 助力产业建圈强链

“芯未项目”建成投产后，将给成都带来什么?

据了解，IGBT是一种新型功率半导体器件，与微电子技术中芯片技术(CPU)一样，IGBT芯片技术是电力电子行业中的“心脏”和“大脑”，能控制并提供大功率的电力设备电能变换，有效提升设备的能源利用效率、自动化和智能化水平，广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、航空航天、消费电子等领域。

“成都是芯片设计、研发和人才高地，但在功率半导体生产制造和工艺平台支撑方面尚处于短板状态。芯未项目建成投用后将起到强链补链的作用。”胡强表示，通过项目一期和二期建设，芯未半导体将进一步丰富完善基于自主创新技术的生产工艺平台，整体技术水平进入行业前列;进一步发挥设计、晶圆工艺和集成封装产业链协同创新模式，结合芯片设计需求，强化产业链上下游协作，推动超薄IGBT特色背面晶圆工艺和高端集成封装技术的量产应用与产业化推广;进一步促进IGBT产品全产业链的研发，同时通过技术创新建立可持续的产业发展模式，为国内IGBT产业技术升级提供整套先进解决方案，推动特色功率半导体产业链和价值链的发展，助力成都电子信息产业建圈强链。

刷新纪录 5个工作日内“四证齐发”

记者了解到，工业项目从拿地到动工建设一般需花费约150个自然日，“芯未项目”则用时不到5个工作日，作为“标准地+拿地即开工”项目，全面刷新了拿地建设时间纪录。

“对企业来说项目落地后最怕的就是等，等流程、等会议、等手续。”成都高新西区发展建设指挥部相关负责人介绍，为全面提升工程建设项目审批效能，成都高新西区发展建设指挥部有效整合规划、国土、建设等行政审批职能，联动公园城市局，创新流程同步推进项目建设全流程审批。同时组建起“指挥部领导挂点服务+部门召集人两进服务+工作人员包干服务”三级协同管家团，组团合作，共同推进，变部门“坐等”审批为主动“靠前”服务，变“串联办”为“并联办”，最大限度优化、简化、整合审批流程和审批环节，确保项目落地不断加速。

“我们将以智能制造驱动传统工业园区转型为公园城市现代化产业新城，以建圈强链做强电子信息产业集群增强核心竞争力全球影响力的实施路径，瞄准打造‘集成电路+新型显示’世界级电子信息产业集群，开展项目集群大会战。”该负责人介绍，成都高新西区将划定25平方公里重点片区打造公园城市智造发展示范区。