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重庆万国造出自研自产 IGBT 元件,预计今年内实现量产
来源:爱集微  作者: 姜羽桐 2022-08-15 09:05:29
重庆万国造出西南地区首颗自研自产IGBT元件,预计年内实现量产.

据重庆日报报道,重庆万国半导体科技有限公司 (以下简称“重庆万国”) 已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的 IGBT 元件。目前该 IGBT 元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。 (IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor,即绝缘栅双极型晶体管)

据悉,重庆万国在今年年初启动 IGBT 元件项目研发,该元件具有饱和压降低,开关损耗小,电流短路能力强等特点,可用于消费电器与工业电器的动能转换。

重庆万国市场资深经理李仁果介绍,在过去 12 个月的出货量中,重庆万国做到每 10 亿颗芯片中,不良率只有 3 颗。

目前,重庆万国已启动上市计划,并已引入京东方等行业头部企业或专业投资机构作为战略投资人。下一步,重庆万国将进一步加快半导体芯片及半导体芯片封装的设计、制造、销售,不断推出创新产品。

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编辑:张煜洁
关键词: 半导体  芯片  重庆 
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